मेटल ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क (MOF)-आधारित सुपरकैपेसिटर में दोषों की उपस्थिति से ऊर्जा भंडारण की क्षमता और प्रदर्शन पर नकारात्मक प्रभाव पड़ता है। दोष या खराबी से इलेक्ट्रोड की सरंध्रता, सतह क्षेत्र, और आयन प्रसार क्षमता प्रभावित होती है, जिससे ऊर्जा भंडारण की दक्षता घटती है। इन कारणों से वर्तमान ऊर्जा भंडारण तकनीकों में सुधार की आवश्यकता महसूस की जा रही थी।
इसी दिशा में एक नई विधि सामने आई है, जिसमें लेजर विकिरण के माध्यम से MOF आधारित सुपरकैपेसिटर में नियंत्रित दोष उत्पन्न किए जा सकते हैं। इस विधि के तहत लेजर की शक्ति को सटीक रूप से समायोजित कर सामग्री की संरचना में छिद्र और दोष उत्पन्न किए जाते हैं, जिससे इलेक्ट्रोड का सतह क्षेत्र और गतिविधि बढ़ती है।
इंस्टीट्यूट ऑफ नैनो साइंस एंड टेक्नोलॉजी (INST), मोहाली के वैज्ञानिकों ने लेजर द्वारा MOF की क्रिस्टल संरचना को बिना प्रभावित किए दोषों को नियंत्रित करने की यह विधि विकसित की है। यह तकनीक पारंपरिक तरीकों से तेज, सुरक्षित, और पर्यावरण के अनुकूल है। इसमें किसी रासायनिक विलायक की आवश्यकता नहीं होती, जिससे यह विधि स्वच्छ भी है।
यह शोध ऊर्जा भंडारण तकनीकों में एक नई दिशा की ओर इशारा करता है। इस विधि से न केवल स्थिरता बढ़ती है बल्कि आयन प्रसार के लिए बेहतर मार्ग भी मिलता है, जो ऊर्जा भंडारण की क्षमता और दीर्घकालिकता में सुधार करता है।
प्रकाशन लिंक: https://doi.org/10.1021/acsmaterialslett.4c00206.
स्रोत-PIB
